[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-8] p型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の評価

〇(M1)今井 友哉¹、中村 成志¹ (1.首都大院SD)

キーワード：GaN、プラズマ照射誘起欠陥、光容量分光法