[18p-PA6-1~30] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-PA6-9] 低バイアスICP-RIEによるn-GaN表面粗さ評価

〇宇崎 滉太¹、新海 聡子¹、大槻 秀夫² (1.九工大、2.サムコ株式会社)

キーワード：GaN、ICP-RIE