[18p-PB1-1~73] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[18p-PB1-38] 磁気抵抗素子の界面磁気結合とスピン依存伝導に関する理論研究

〇レンデ 悟 ユージン¹、三浦 良雄² (1.京都工繊大、2.NIMS)

キーワード：ホイスラー合金、第一原理計算

高スピン偏極材料であるフルホイスラー合金を電極層に用いた磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果では、室温におけるTMR比の低下が大きな課題になっている。要因の1つとして、絶縁体障壁とのヘテロ接合界面領域において特にCo終端界面での交換結合がバルク領域と比較して著しく低下していることが報告されている。本研究では、高スピン偏極ホイスラー合金とMgO界面における交換結合定数を第一原理計算により解析した。