[18p-PB1-1~73] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[18p-PB1-6] 2次元磁性トポロジカル絶縁体に向けたMBE法によるMn添加InAs/GaSbヘテロ接合の作成

〇綾部 貴仁¹、加来 滋¹、吉野 淳二¹ (1.東工大理)

キーワード：トポロジカル絶縁体

2014年にMn添加InAs/GaSbに対して量子異常ホール効果(QAH)が発現することが予想されたが、実験的な検証には未だに至っていない。(Bi,Sb)Teにおいて研究が進められているが、極低温でしか量子化伝導度の測定に成功していない。そこで新たなQAH発現候補の試料として、LT-MBEを用いて本物質の作成に取り組んだ。実験ではGaAs(001)基板上にAlSb(500nm)/InMnAs(20nm)/ GaMnSb(20nm)を成長した。Van der Pauw法により輸送特性を調べたところp型の伝導を示し、面直磁化容易軸をもつ事が分かった。