[18p-PB2-1~7] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[18p-PB2-1] Effects of irradiation of Ar fast atom beams on Si substrates--- Dependence on substrate temperature

〇(M1)Yuji Matsumoto¹, Jianbo Liang¹, Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ.)

Keywords:Ar fast atom beams, Silicon, substrate temperature

我々は表面活性化ボンディング（SAB）法を用いて、タンデム太陽電池を作製している。SAB法では、試料表面を活性化するために高速Arビーム（FAB）が用いられる。しかし、FAB照射は結晶構造にダメージを及ぼすこと、電気特性にも影響を与え、その影響はその後の熱処理温度に敏感であることがわかっている。
本研究では基板を200℃に加熱した状態での照射(加熱照射)と常温照射において照射による電気特性への影響の違いを評価した。