[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

[18p-PB3-38] 高真空アルコールガスソース法によるCo触媒からの300℃以下での単層カーボンナノチューブ成長

〇(M2)岡田 拓也¹、サラマ カマル¹、才田 隆広¹、成塚 重弥¹、丸山 隆広¹ (1.名城大理工)

キーワード：カーボンナノチューブ

単層カーボンナノチューブ(SWCNT)は様々な優れた電気的特性をもつことから、エレクトロニクス分野への応用が期待されている。しかし、その実現には作製温度の低温化が課題となっている。これまで我々のグループでは、Al₂O₃バッファ層上に担持したRh粒子を触媒に用い、エタノール圧力を最適化することで300℃程度でのSWCNT成長を報告している。一方、Co触媒を用いた場合、成長温度400℃でのSWCNT成長に成功しているが、収量は少なかった。 本研究では、低温成長におけるCo触媒からのSWCNTの成長量の向上を目的とし、Al₂O₃バッファ層を導入し、成長条件を最適化することで300℃以下でのSWCNT成長に成功した。