[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

[18p-PB3-42] グラフェン/h-BCN超格子構造をチャネルに用いたFETの量子閉じ込めによる特性変化

〇石原 友也¹、小川 真人¹、相馬 聡文¹ (1.神戸大院工)

キーワード：グラフェン、h-BCN、超格子

IoT社会の発展のためにはより高性化された半導体デバイスが求められる。本研究では新材料グラフェンのFET応用に向けて、グラフェンとグラフェン状物質であるh-BCNを接合した超格子構造をFETのチャネルとして考える。この構造内に存在する量子閉じ込めによるFETの特性変化について考察し、報告する