[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

△ [18p-PB3-48] ヘリウムイオン照射グラフェンの負の磁気抵抗

〇岩崎 拓哉^1,2、Agbonlahor Gabriel²、Muruganathan Manoharan²、赤堀 誠志²、守田 佳史³、森山 悟士¹、小川 真一⁴、若山 裕¹、水田 博^2,5、中払 周¹ (1.物材機構、2.北陸先端大、3.群馬大、4.産総研、5.日立ケンブリッジ研)

キーワード：グラフェン、イオン照射、キャリア局在

ヘリウムイオン顕微鏡を用いて欠陥を導入したグラフェンをチャネルとしたデバイスを作製し、低温、磁場環境下でキャリア輸送特性を調べた結果を報告する。温度1.7 Kにおいてゲート電圧に依らず負の磁気抵抗を観測し、その変化率はディラック点付近で大きくなっていた。測定結果より、イオン照射により低密度の欠陥を有するグラフェンにおいて、量子干渉効果によるキャリア局在が発生していることが示唆される。