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[18p-PB3-70] 多結晶Cu基板上でのグラフェンCVD成長における金属マスクがドメインサイズに及ぼす影響
キーワード:グラフェン、化学気相成長法、金属マスク
グラフェンは優れた電子移動度をもつ炭素の単原子層物質であり,化学気相成長(CVD)法で合成できる.CVD法で得られるグラフェンは多結晶であり,電子移動度が結晶粒界で低下するため,ドメインの大面積化が求められる.本研究では,水素を吸蔵するタンタルや炭素を固溶するニッケル金属マスクを銅基板上に置いてCVDを行い,グラフェン成長に及ぼす影響を調べた.