[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

[18p-PB3-76] SiC上グラフェンの移動度に及ぼす界面の影響

〇(B)榊原 涼太郎¹、河原 憲治²、吾郷 浩樹²、乗松 航¹ (1.名大工、2.九大グローバル)

キーワード：グラフェン、キャリア移動度、転写

SiC基板上に成長させたグラフェンは、SiCとの界面にbuffer層とよばれる層が形成され、グラフェンのキャリア移動度を低下させることが知られている。本研究では、このbuffer層の及ぼす効果について詳しく調べるため、CVD法により成長させたグラフェンをbuffer層上へ転写しその電気伝導測定を行うというアプローチを行った。その結果、転写されたグラフェンは、SiC上に成長させたグラフェンと比較してbuffer層との相互作用が極端に弱いことがわかった。