[18p-PB3-1~95] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[18p-PB3-80] Chemical Vapor deposition of single-layer MoS₂ and WS₂ using potassium salts as assist reagents.

〇Reita Igarashi¹, Hajime Shirai¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:layered material, transition metal dichalcogenide, chemical vapor deposition

MoS₂やWS₂等の遷移金属ダイカルコゲナイドは、バンドギャップを有した層状物質であり、次世代デバイスにおけるチャネル材料への応用が期待されている。大面積薄膜を得るには化学気相成長(CVD)法がよく用いられるが、再現性良く高品質な大面積単結晶グレインを得るのは容易ではない。本研究では、カリウム塩をアシスト剤に用いて薄膜成長を行い、得られた単層膜に対する評価を行った。