[18p-PB3-1~95] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[18p-PB3-87] Improvement of an ALD-grown Al₂O₃ film on WSe₂ by surface oxidation

〇Yosuke Machida¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:layered material, surface oxidation, atomic layer deposition

原子層堆積（ALD）法は膜厚制御が可能な成膜法であるが，前駆体が試料表面に吸着することによって堆積が進行するため，ダングリングボンドが存在せず不活性な層状物質表面上では均一な堆積が困難である。そこで本研究では，O₃曝露によるWSe₂表面数層の酸化によってALD前駆体との反応性を高め，ALDによるWSe₂上のAl₂O₃堆積の改善を試みた。その結果，O₃曝露によるWSe₂表面酸化が，ALDによるWSe₂上のAl₂O₃堆積を均一化することが分かった。