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[18p-PB3-87] Improvement of an ALD-grown Al2O3 film on WSe2 by surface oxidation
Keywords:layered material, surface oxidation, atomic layer deposition
原子層堆積(ALD)法は膜厚制御が可能な成膜法であるが,前駆体が試料表面に吸着することによって堆積が進行するため,ダングリングボンドが存在せず不活性な層状物質表面上では均一な堆積が困難である。そこで本研究では,O3曝露によるWSe2表面数層の酸化によってALD前駆体との反応性を高め,ALDによるWSe2上のAl2O3堆積の改善を試みた。その結果,O3曝露によるWSe2表面酸化が,ALDによるWSe2上のAl2O3堆積を均一化することが分かった。