[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

[18p-PB3-89] SnSe₂ FETのInドープによる電気的挙動変化

〇赤根 大介¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：層状物質、二セレン化スズ、ドーピング

電界効果トランジスタ(FET)の小型化への問題解決を期待されている半導体材料の1つに層状物質である二セレン化スズ(SnSe₂)がある．その応用の際にはp型・n型それぞれへの伝導型制御が求められるが，SnSe₂は自身の欠陥に由来して強くnドープされている．本研究では，SnSe₂に対して電子不足であるInをドープすることで，金属的挙動からn型半導体的挙動へとFET挙動を変化させることに成功した．