[18p-PB3-1~95] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[18p-PB3-90] Operation characteristics of arsenic-doped MoSe₂ FET (2)

〇Shuuto Horii¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:layered materials, molybdenum diselenide, doping

現在のシリコン半導体素子は微細化に限界があると考えられており，遷移金属ダイカルコゲナイド等の層状物質がポストシリコン材料として注目を集めている。本研究では二セレン化モリブデン(MoSe₂)にヒ素(As)をドープした試料について電界効果トランジスタ(FET)応用を試み，その動作特性の温度依存性を調べた。その結果， MoSe₂ FETの電気的特性がドープによりn型からp型に変化することが詳細に確認された。