[18p-PB3-1~95] 17 ナノカーボン（ポスター）

[18p-PB3-90] ヒ素をドープした MoSe₂ FET の動作特性 (2)

〇堀井 嵩斗¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：層状物質、二セレン化モリブデン、ドーピング

現在のシリコン半導体素子は微細化に限界があると考えられており，遷移金属ダイカルコゲナイド等の層状物質がポストシリコン材料として注目を集めている。本研究では二セレン化モリブデン(MoSe₂)にヒ素(As)をドープした試料について電界効果トランジスタ(FET)応用を試み，その動作特性の温度依存性を調べた。その結果， MoSe₂ FETの電気的特性がドープによりn型からp型に変化することが詳細に確認された。