[19a-133-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19a-133-5] Fe₂O₃シード層がBiFeO₃薄膜のMOCVD成長に及ぼす影響

〇(M2)吉村 奈緒¹、藤沢 浩訓¹、中嶋 誠二¹、清水 勝¹ (1.兵庫県立大学)

キーワード：BiFeO3、MOCVD、組成制御

MOCVD法によってシード層を用いたBFO薄膜を成膜した．
BFO薄膜は絶縁性の低さが課題であるが，シード層挿入により組成制御性及び絶縁性向上を実現した．