[19a-133-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19a-133-8] Bサイト置換BiFeO₃薄膜の強誘電・強磁性ドメイン構造変化

〇勝俣 真綸¹、清水 陽樹¹、清水 啓佑²、重松 圭¹、東 正樹¹ (1.東工大フロ材研、2.東工大科創院)

キーワード：マルチフェロイック、BiFeO3、PFM, MFM

BiFe_1-xCo_xO₃薄膜は室温強磁性強誘電体であり、電場印加磁化反転が期待される。先行研究では、BiFe_0.9Co_0.1O₃/GdScO₃(110)_Oの4種類の面内分極のうち、2種類がストライプ構造を作っている局所的な領域において、電場印加磁化反転が確認できた。そこで本研究では、ミスカット基板の使用により分極が2種類のみの試料を作製した。強誘電ドメイン観察の結果、ミスカット方向に配列したストライプドメインが確認できた。また、強誘電・強磁性ドメイン相関観察も行なった。