[19a-136-1~12] 13.9 化合物太陽電池

△ [19a-136-7] 焼結時VI族蒸気圧および昇温速度によるCu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜のS/(S+Se)比の制御

〇(D)杉本 寛太¹、中田 和吉¹、山田 明¹ (1.東工大工学院)

キーワード：CZTSSe、太陽電池

これまで、本研究室では非真空プロセスによるCZTSSe膜の作製を行ってきた。本発表では、薄膜の焼結時における炉内蒸気雰囲気および昇温速度によるCZTSSe膜のS/(S+Se)比の制御について報告する。粉末を用いた焼結の場合、炉内の冷却部へSeが付着するためCZTSSe膜はhigh-Sとなる。高効率が得られているlow-SなCZTSSe膜を作製するために昇温速度の検討を行った結果、S/(S+Se)比は0.37まで減少し、これに伴い短絡電流密度の増加が確認された。