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[19a-143-2] Ge表面でのXANAMによる元素固有信号の計測
キーワード:放射光X線、非接触原子間力顕微鏡、半導体
表面/界面のナノ構造を個々に識別しながら、元素・化学状態を特定する手法として「X線支援原子間力顕微鏡(XANAM)」を開発してきた。これまでのX線誘起の原子間力変化の測定および解析、そして元素マッピングの取得方法について検討してきた。今回は同手法をGe半導体試料に適用し、X線による原子間力の変化に加えて、探針位置での電流変化の情報も得ることができた。これらの信号の関係に検討した結果を報告する。