2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[19a-145-1~10] 12.4 有機EL・トランジスタ

2018年9月19日(水) 09:00 〜 11:45 145 (レセプションホール)

青山 哲也(理研)、市川 結(信大)

09:15 〜 09:30

[19a-145-2] 分散ダメージ低減による半導体型CNTのTFT特性向上

磯貝 和生1、内藤 孝二郎1、小林 康宏1、宮浦 健志1、岡本 尚代1、西野 秀和1、村瀬 清一郎1 (1.東レ株式会社)

キーワード:CNT、半導体ポリマー、TFT

近年、塗布型薄膜トランジスタ(TFT)の半導体材料として単層カーボンナノチューブ(SWCNT)が注目されている。我々はこれまでに、高純度半導体型SWCNTと独自半導体ポリマーとの複合化により、塗布型では世界最高レベルの移動度を達成している。今回、さらなる移動度向上に向け、SWCNTの分散ダメージの低減に着目し、原料CNTおよび分散プロセスを検討し、半導体型SWCNTのTFT特性を評価した。その結果、分散ダメージ低減によりTFT特性向上が見られた。