[19a-145-1~10] 12.4 有機EL・トランジスタ

[19a-145-2] 分散ダメージ低減による半導体型CNTのTFT特性向上

〇磯貝 和生¹、内藤 孝二郎¹、小林 康宏¹、宮浦 健志¹、岡本 尚代¹、西野 秀和¹、村瀬 清一郎¹ (1.東レ株式会社)

キーワード：CNT、半導体ポリマー、TFT

近年、塗布型薄膜トランジスタ(TFT)の半導体材料として単層カーボンナノチューブ(SWCNT)が注目されている。我々はこれまでに、高純度半導体型SWCNTと独自半導体ポリマーとの複合化により、塗布型では世界最高レベルの移動度を達成している。今回、さらなる移動度向上に向け、SWCNTの分散ダメージの低減に着目し、原料CNTおよび分散プロセスを検討し、半導体型SWCNTのTFT特性を評価した。その結果、分散ダメージ低減によりTFT特性向上が見られた。