[19a-145-1~10] 12.4 有機EL・トランジスタ

[19a-145-7] BQQDI骨格への位置選択的なシアノ基導入とその電界効果トランジスタ特性

〇小熊 威¹、熊谷 翔平¹、石井 宏幸²、福﨑 英治³、谷 征夫³、杉浦 寛記³、渡邉 哲也³、黒澤 忠法¹、竹谷 純一¹、岡本 敏宏^1,4 (1.東大院新領域、2.筑波大数物、3.富士フイルム、4.JST さきがけ)

キーワード：n型有機半導体、ペリレンジイミド、シアノ基

最近、我々は新奇ｎ型有機半導体として、ペリレンジイミド骨格上の２つの炭素サイトを窒素で置換したベンゾイソキノリノキノリンジイミド（BQQDI）骨格とその誘導体の開発に成功した。本講演では、さらなる塗布プロセス性・大気安定性の向上を目的としてBQQDI骨格に対しシアノ基を導入した分子群の合成、基礎物性、薄膜トランジスタ特性について発表する。