2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年9月19日(水) 09:00 〜 12:15 146 (レセプションホール)

小島 一信(東北大)、船戸 充(京大)

11:45 〜 12:00

[19a-146-11] グラファイト上にMBE成長したInNナノ結晶の発光特性

毛利 真一郎1、荒川 真吾1、Dobrovolskas Darius2、Mickevičius Jūras2、Tamulaitis Gintautas2、名西 憓之1、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.ビリニュス大)

キーワード:窒化インジウム、ファンデルワールスエピタキシー、グラフェン

我々は、グラファイトを犠牲層として利用し、剥離・転写可能なInNをMBE成長することを目指しており、これまで、グラファイト上に転写可能なInNナノ結晶が成長できることを見出してきた。本研究では、顕微発光測定を用いてナノ結晶の発光特性と成長条件との関連について調べた。その結果、375℃で成長したナノ結晶の発光強度はGaN上に成長した薄膜より強いことがわかり、発光材料として有望であることが示された。