[19a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-146-4] レーザを用いた局所p-GaNオーミック電極形成法の開発

〇川崎 輝尚¹、黒瀬 範子²、松本 晃太³、岩田 直高³、青柳 克信² (1.住友重機械、2.立命館大、3.豊田工大)

キーワード：ガリウムナイトライド、オーミック、レーザ

通常p型GaN（p-GaN）のオーミック電極の形成プロセスでは、RTAを用いて素子全体を高温状態で長時間加熱しないと接触抵抗を下げられないため、素子の劣化が起こりやすく次世代半導体で要求される特性の実現に大きな障害となっている。そこで、我々は波長355nmのレーザをp-GaN上に蒸着したNi蒸着膜に照射して局所的にオーミック電極を形成する新たな方法を開発した。この方法ではp-GaN電極作成プロセスを簡単に短時間で行える可能性がある。