[19a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19a-146-5] 分子線酸素ビーム照射下その場観察XPS によるGaN 表面酸化の面方位依存性

〇浅井 祐哉^1,2、関 慶祐^1,3、吉越 章隆⁴、隅田 真人⁵、石垣 隆正³、上殿 明良²、角谷 正友¹ (1.物材機構、2.筑波大、3.法政大学、4.原研機構、5.理研AIP)

キーワード：酸化、XPS

GaNの+c面、-c面、m面に対して分子線酸素ビームを照射しながら、その場XPSで表面酸化をリアルタイムで観察した。
この結果をGaN 極性表面構造を構成した計算モデルから考察し、表面酸化の面方位依存性を明らかにする。