[19a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-146-7] ラマン散乱マッピングによるInGaNの局所フォノン場評価

〇(M2)齋藤 直道¹、瀧口 佳祐¹、馬 蓓¹、森田 健¹、飯田 大輔²、大川 和宏²、石谷 善博¹ (1.千葉大院工、2.アブドラ王立大)

キーワード：窒化物、フォノンエンジニアリング