[19a-224B-1~10] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[19a-224B-1] Ir触媒を用いた垂直配向した単層カーボンナノチューブ成長

〇(M2)岡田 拓也¹、サラマ カマル¹、才田 隆広¹、成塚 重弥¹、丸山 隆浩¹ (1.名城大理工)

キーワード：カーボンナノチューブ

単層カーボンナノチューブ(SWCNT)は様々な優れた電気的特性をもつことから、エレクトロニクス分野への応用が期待されている。しかし、その実現にはカイラリティの均一化と収量増加が不可欠である。これまで我々のグループでは、高融点をもつ白金族元素を触媒に用い、カイラリティ均一性の高いSWCNT成長を試みてきた。その結果、Pt触媒を用いることで、直径が1 nm程度以下でカイラリティ分布の狭いSWCNTが成長することを報告した。しかし、Pt触媒を用いた場合、SWCNTの生成量が少ないという問題があった。本研究では、Ir触媒を用いてSWCNT成長を行うことで、垂直配向したSWCNTを得ることができた。また成長したSWCNTの直径は概ね1nm以下であり、カイラル分布の比較的狭いSWCNT成長していると考えられる。