The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[19a-233-1~11] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

Wed. Sep 19, 2018 9:00 AM - 12:00 PM 233 (233)

Reo Kometani(Univ. of Tokyo)

11:45 AM - 12:00 PM

[19a-233-11] Inserting intermediate patterned metal layers for 3-5-on-Si multijunction solar cells with improved bonding interface properties

〇(M1)Takashi Hishida1, Jianbo Liang1, Naoteru Shigekawa1 (1.Osaka City Univ.)

Keywords:surface-activated bonding, patterned metal, solar cells

我々は表面活性化接合法によって3-5族/Si太陽電池の作製に成功しているが、高い界面抵抗が問題となっている。解決策として接合界面にエミッタ電極と同じ形状のパターニング金属と、その周りを絶縁層で覆った金属層を形成し、3-5族/パターニング金属接合を形成することで、界面抵抗改善が見込まれる。本研究はSi/パターニングAl/Si接合を作製し、その電気特性と構造評価を行った。