[19a-233-1~11] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

△ [19a-233-4] Second-Phase Evaluation of Minority Carrier Lifetime in FZ-Si Affected by Si-IGBT Process

〇(M2)Hiroto Kobayashi¹, Ryo Yokogawa^1,2, Kosuke Kinoshita¹, Yoichiro Numazawa¹, Atsushi Ogura¹, Shin-ichi Nishizawa³, Takuya Saraya⁴, Kazuo Ito⁴, Toshihiko Takakura⁴, Shinichi Suzuki⁴, Munetoshi Fukui⁴, Kiyoshi Takeuchi⁴, Toshiro Hiramoto⁴ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC, 3.Kyushu Univ., 4.Tokyo Univ.)

Keywords:Insulated Gate Bipolar Transistor, Lifetime, Silicon

Si-IGBT製造工程において、ゲート酸化後のプロセス温度の高い主工程としては、Bベース層およびPエミッタ層の活性化処理がある。我々は前回、ゲート酸化工程によりSi/SiO₂界面に界面準位が発生し、キャリアライフタイムを低下させることを報告した。今回はゲート酸化後に上記活性化処理工程を経た基板を光導電率減衰測定およびC-V測定により評価し、活性化処理により界面準位等の特性が変化することを見出したので報告する