[19a-233-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-233-7] ∂C/∂z-SNDM法による半導体ドーパント濃度測定に関する数値シミュレーション

〇平永 良臣¹、長 康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：半導体、ドーパント濃度、プローブ顕微鏡