2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[19a-234B-1~9] 6.4 薄膜新材料

2018年9月19日(水) 09:15 〜 11:45 234B (234-2)

中村 吉伸(東大)

10:15 〜 10:30

[19a-234B-5] 薄膜成長技術×超高圧技術: 高圧相α-PbO2型TiO2薄膜の固相エピタキシャル成長

〇(M2)笹原 悠輝1、遊馬 博明1、金谷 航葵1、清水 亮太1,2、西尾 和記1、西山 宣正3、一杉 太郎1 (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東工大フロンティア研)

キーワード:高圧合成、エピタキシャル成長、高圧相

一般に、薄膜成長は減圧環境下で行われる。一方、超高圧下では、常圧下では合成できない物質の作製が可能である。そこで、これまで相反すると思われていた「薄膜成長技術」と「超高圧技術」を組み合わせ、新物質合成することを着想した。本研究では、TiO2系に着目し、非晶質TiO2薄膜に対して超高圧印加しながら加熱処理を行うことで、単相の高圧相α-PbO2型TiO2のエピタキシャル薄膜作製に成功したので報告する。