[19a-311-1~12] 17.3 Layered materials

[19a-311-1] Development of a Molecular Dopant toward Selective-area Doping for 2D Materials

〇Akito Fukui¹, Yuh Hijikata², Jenny Pirillo², Hisashi Ichimiya¹, Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹, Daisuke Kiriya^1,3 (1.Osaka Pref. Univ., 2.Nagoya Univ., 3.JST PRESTO)

Keywords:2D semiconductor, Molecular doping

二硫化モリブデン(MoS₂)をはじめとする層状物質は、電子デバイス応用に向けた研究が盛んにおこなわれている。そのキャリア注入の方法として、層状物質表面に酸化還元活性な分子の溶液を接触させる、分子ドーピング法が提唱されている。しかし、既報分子の多くは有機溶媒に溶解するため、位置選択的キャリア注入に必要なフォトレジストを併用できない。我々は、親水性のアミド系分子がMoS₂表面に接触させることで電子ドーピングが可能であることを見出したので、そのドーピング特性およびフォトレジストとの併用の可能性について検討したので報告する。