[19a-311-1~12] 17.3 層状物質

[19a-311-1] 層状物質への位置選択的ドーピングを指向した分子性ドーパントの開拓

〇福井 暁人¹、土方 優²、Jenny Pirillo²、一宮 永¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹、桐谷 乃輔^1,3 (1.阪府大工、2.名大WPI-ITbM、3.科学技術振興機構さきがけ)

キーワード：層状半導体、分子ドーピング

二硫化モリブデン(MoS₂)をはじめとする層状物質は、電子デバイス応用に向けた研究が盛んにおこなわれている。そのキャリア注入の方法として、層状物質表面に酸化還元活性な分子の溶液を接触させる、分子ドーピング法が提唱されている。しかし、既報分子の多くは有機溶媒に溶解するため、位置選択的キャリア注入に必要なフォトレジストを併用できない。我々は、親水性のアミド系分子がMoS₂表面に接触させることで電子ドーピングが可能であることを見出したので、そのドーピング特性およびフォトレジストとの併用の可能性について検討したので報告する。