[19a-331-1~6] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

▲ [19a-331-6] Time-resolved measurements of anomalous Nernst effect for L1₀-FePt thin films

〇(M2)Masahiro Saito^1,2、Satoshi Iihama³、Himanshu Sharma^1,5、Shigemi Mizukami^3,4,6、Masato Kotsugi²、Masaki Mizuguchi^1,5,6 (1.IMR Tohoku Univ.、2.Tokyo Univ. of Sci.、3.WPI AIMR Tohoku Univ.、4.WLRCS Tohoku Univ.、5.CREST、6.CSRN Tohoku Univ.)

キーワード：Anomalous Nernst effect(ANE)