2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.5 レーザー装置・材料

[19a-431B-1~6] 3.5 レーザー装置・材料

2018年9月19日(水) 09:00 〜 10:30 431B (431-2)

桂川 眞幸(電通大)

10:00 〜 10:15

[19a-431B-5] 2.92 μm半導体レーザー励起Er:YAP 連続波レーザー

河瀬 広樹1、安原 亮1,2 (1.総合研究大学院大学、2.自然科学研究機構、核融合科学研究所)

キーワード:中赤外固体レーザー、半導体レーザー励起

Er:YAPは、低フォノンエネルギー、YAGと同程度の熱伝導率、及び優れた機械的特性を有しているため、中赤外固体レーザーのレーザー媒質として期待されている。そこで、本研究では、Er:YAPを半導体レーザーで励起し、2.92 µmの連続波レーザー発振を行った。キャビティの最適化無しに量子欠損スロープ効率と近い値である30 %のスロープ効率が実験より得られた。以上より、Er:YAPが中赤外固体レーザーのレーザー媒質として有望であることが分かった。