2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19a-436-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2018年9月19日(水) 09:30 〜 11:45 436 (436)

末益 崇(筑波大)、立岡 浩一(静岡大)

10:45 〜 11:00

[19a-436-5] 逆蛍石型Mg2(Si, C)の可能性

今井 庸二1、山本 淳1、財部 健一2 (1.産総研、2.岡山理科大)

キーワード:Mg2Si、炭素置換、バンドギャップ

逆蛍石型Mg2Cが高圧下では安定になるという報告に鑑み、同じ構造のMg2SiXC1-Xの固溶体が高圧下で安定であるかどうかを、第一原理計算で予想した。Mg2SiXC1-Xは高圧下でMg + Si + Cよりもエネルギー的に安定であるが、Mg2Siの中のSiをC原子で置換することは、我々の期待に反してバンドギャップ収縮をもたらすことが判明した。