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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19a-436-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2018年9月19日(水) 09:30 〜 11:45 436 (436)

末益崇(筑波大)、立岡浩一(静岡大)

11:00 〜 11:15

[19a-436-6] 共スパッタリング法により形成したMgSiSn薄膜の電気特性

〇(M1)布施翔太郎¹、和田英之¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

キーワード：半導体、Mg2Si、共パッタリング法