[19a-437-1~13] 3.12 Nanoscale optical science and near-field optics

[19a-437-8] Consideration of injection current dependence of Si-LED using Stefan-Boltzmann law

〇Tadashi Kawazoe¹, Motoichi Ohtsu^2,3 (1.TDU, 2.Univ. Tokyo, 3.Res. Origin Dressed Photon)

Keywords:nanophtonics, LED, Silicon

Si-LEDの注入電流依存性をシュテファンボルツマン則によって考察した。
その結果、注入電流の4乗に比例する理由はフォノンの黒体輻射率の変化によって理解できることが分かった。