[19a-CE-1~6] 日韓ジョイントシンポ：ワイドバンドギャップ半導体デバイス

▲ [19a-CE-2] Challenges in SiO₂/SiC interface passivation for SiC power MOSFET

〇Takuji Hosoi¹、Kidist Moges¹、Takayoshi Shimura¹、Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

キーワード：SiC, SiO2/SiC interface, MOS