[19a-PA3-1~6] 3.6 超高速・高強度レーザー

[19a-PA3-5] GaAs結晶での過渡反射率測定における光学応答のプローブ偏光角依存性

〇松本 啓¹、北島 誉士¹、三島 遊¹、南 不二雄¹、萱沼 洋輔^1,2、中村 一隆¹ (1.東工大フロンティア研、2.大阪府大理)

キーワード：半導体、フェムト秒レーザー、コヒーレントフォノン

フェムト秒パルスレーザーを用いて、GaAsに対しポンププローブ法による過渡反射率計測を行った。ポンプ光とプローブ光が時間的に重なる領域ではスパイク状の光学応答が観測されるが、この応答はプローブ光に対し偏光角依存性があることが確認できた。これは、信号の検出にEOサンプリング法を用いたことに由来すると考えられる。また、ダブルポンプパルスを用いた光学応答のポンプ間時間遅延依存性についても報告を行う。