[19a-PB1-1~11] 9.5 New functional materials and new phenomena

[19a-PB1-9] Low-H₂ pressure synthesis of hydride semiconductor YH_3-δ using Pt/Ni co-capped Y films

〇Takuya Kobayashi¹, Ryota Mikami¹, Nao Suganuma¹, Soujirou Akisato¹, Masamiti Sakai¹, Tatsurou Hanajiri², Yoshikata Nakajima², Masahide Tokuda², Yasuhiko Fujii², Osamu Nakamura³ (1.Saitama Univ., 2.Toyo Univ., 3.Okayama Univ.)

Keywords:semiconductor

YH_xは水素濃度xの増加とともに結晶構造が、hcp（x＜0.21:α相）、fcc（x＝2:β相）、hcp（x＝3:γ相）と変態し、x=2.8で金属から半導体へ変化することが知られている。水素貯蔵効果があるとされている希土類金属の中で、Pt触媒を用いることで高純度のγ相が得られると報告されている 。また、Pd触媒とNi触媒の二種類を用いることで低温下においてγ相が得られるとの報告がある。本研究ではPd触媒と同じく触媒効果を持つPt触媒とNi触媒の二種類を用いたYの水素化とX線回折結果のより定量的な分析を行った。