The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[19p-131-1~15] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

Wed. Sep 19, 2018 1:30 PM - 5:45 PM 131 (131+132)

Kentaro Kutsukake(Nagoya Univ.), Toshinori Taishi(Shinshu Univ.), Yasuo Shimizu(Tohoku Univ.)

1:30 PM - 1:45 PM

[19p-131-1] Thermal gradient in high-speed growth is large or not

Hirofumi Harada1, Lijun Liu1, Koichi Kakimoto1 (1.Kyushu Univ.)

Keywords:thermal gradient, Stefan condition

高速成長では、結晶の温度勾配は緩やかであると言う報告がある[1]。 一方、結晶の凝固界面では、Stefan条件が成立し、結晶側の温度勾配が大きい程、高速成長が可能であると言うことが熱力学の法則である。これらの齟齬の原因について、報告する。