2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[19p-136-1~8] 13.9 化合物太陽電池

2018年9月19日(水) 13:45 〜 15:45 136 (3Fロビー)

宮崎 尚(防衛大)

14:30 〜 14:45

[19p-136-4] 直接窒化法と理論計算による高移動度n型およびp型Cu3N

松崎 功佑1、原田 航2、熊谷 悠1、越谷 翔悟3、木本 浩司3、上田 茂典3、笹瀬 雅人1、前田 祥宏2、須崎 友文1,2、北野 政明1、大場 史康1,2,3、細野 秀雄1,2 (1.東工大元素戦略、2.東工大フロ材研、3.物材機構)

キーワード:直接窒化法、キャリアドーピング設計、バイポーラドーピング

窒化銅はありふれた元素のみで構成されるバンドギャップ1.0 eVの間接遷移型半導体であり高い光吸収係数をもつことから薄膜太陽電池の活性層材料として注目されている。安価・大面積に形成可能な新しい窒化物合成法の考案、理論計算を用いたキャリアドーピング設計、STEM-EELSによる高分解能元素マッピング、HAXPESを用いた電子状態解析により、高移動度のp型、およびn型の窒化銅半導体の作り分けに成功したので報告する。