[19p-136-1~8] 13.9 Compound solar cells

[19p-136-4] High mobility p- and n-type Cu₃N by direct nitriding and theoretical calculation

〇Kosuke Matsuzaki¹, Harada Kou², Yu Kumagai¹, Koshiya Shogo³, Koji Kimoto³, Shigenori Ueda³, Masato Sasase¹, Akihiro Maeda², Tomofumi Susaki^1,2, Masaaki Kitano¹, Fumiyasu Oba^1,2,3, Hideo Hosono^1,2 (1.Tokyo Tech MCES, 2.Tokyo Tech MSL, 3.NIMS)

Keywords:direct nitriding, doping design, bipolar doping

窒化銅はありふれた元素のみで構成されるバンドギャップ1.0 eVの間接遷移型半導体であり高い光吸収係数をもつことから薄膜太陽電池の活性層材料として注目されている。安価・大面積に形成可能な新しい窒化物合成法の考案、理論計算を用いたキャリアドーピング設計、STEM-EELSによる高分解能元素マッピング、HAXPESを用いた電子状態解析により、高移動度のp型、およびn型の窒化銅半導体の作り分けに成功したので報告する。