[19p-136-1~8] 13.9 化合物太陽電池

[19p-136-4] 直接窒化法と理論計算による高移動度n型およびp型Cu₃N

〇松崎 功佑¹、原田 航²、熊谷 悠¹、越谷 翔悟³、木本 浩司³、上田 茂典³、笹瀬 雅人¹、前田 祥宏²、須崎 友文^1,2、北野 政明¹、大場 史康^1,2,3、細野 秀雄^1,2 (1.東工大元素戦略、2.東工大フロ材研、3.物材機構)

キーワード：直接窒化法、キャリアドーピング設計、バイポーラドーピング

窒化銅はありふれた元素のみで構成されるバンドギャップ1.0 eVの間接遷移型半導体であり高い光吸収係数をもつことから薄膜太陽電池の活性層材料として注目されている。安価・大面積に形成可能な新しい窒化物合成法の考案、理論計算を用いたキャリアドーピング設計、STEM-EELSによる高分解能元素マッピング、HAXPESを用いた電子状態解析により、高移動度のp型、およびn型の窒化銅半導体の作り分けに成功したので報告する。