[19p-136-1~8] 13.9 化合物太陽電池

[19p-136-7] 平板基板上に作製したBiI₃薄膜の特性評価

〇都築 新大¹、日下部 祐衣香¹、ANISSA ADIWENA PUTRI¹、加藤 慎也¹、岸 直希¹、曽我 哲夫¹ (1.名工大院工)

キーワード：半導体、BiI3 薄膜、太陽電池

i太陽電池をボトムセルとして用いる場合、トップセルには1.6から1.8eVのバンドギャップを有する材料が必要になる。そこで、バンドギャップが約1.8eVのBiI₃に着目した^[1]。これまで、多くの研究はTiO₂ナノ粒子層に作製されてきた。しかし、TiO₂ナノ粒子層は多孔質であるため、BiI₃膜単体の評価が困難であった。本研究は、平板基板上にBiI₃膜を作製し、詳細な評価を行った。