[19p-146-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-146-1] Compositional Dependence of Band Gaps in III-Nitride Semiconductor Superlattices

〇Takahiro Kawamura¹, Yuma Fujita¹, Yuya Hamaji¹, Toru Akiyama¹, Yoshihiro Kangawa² (1.Mie Univ., 2.RIAM, Kyushu Univ.)

Keywords:nitride semiconductor, first-principles calculation

III族窒化物半導体で構成される超格子や混晶はその組成によってバンドギャップが変化するため、原理的には赤外から深紫外まで幅広い波長領域に対応した光学デバイスを実現することが可能である。本研究では窒化物半導体超格子におけるバンドギャップと超格子の組成や層厚との関係を明らかにすることを目的として、第一原理計算を用いてバンド構造の解析を行った。