[19p-146-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [19p-146-10] Deep ultraviolet laser formed on AlGaN/annealed sputtered AlN template

〇(M2)Yuta Kawase¹, Jyunya Ikeda¹, Yusuke Sakuragi¹, Shinji Yasue¹, Syo Iwayama^1,3, Myunghee Kim¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kaymiyama¹, Isamu Akasaki^1,2, Hideto Miyake³ (1.Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, 2.Akasaki Research Center, Nagoya University, 3.Graduate School of Regional Innovation Studies)

Keywords:semiconductor, Emission characteristics, ultraviolet

高性能紫外発光素子の実現には、サファイア基板上への高品質 AlGaN 作製技術の確立が重要である。本研究グループでは、量産性/再現性に優れたスパッタ法により堆積した AlN 膜を高温アニール処理した後、MOVPE 法により AlN を再成長を行い、結晶配向性に優れた AlN下地層が得られることを報告してきた。今回は、アニールしたスパッタ AlN 膜上に、n-AlGaNクラッド層の膜厚を変化させながら活性層を積層させて発光特性について検討・調査した。