[19p-146-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-146-10] AlGaN/アニール処理スパッタAlNテンプレート上に作製した紫外レーザ

〇(M2)川瀬 雄太¹、池田 隼也¹、櫻木 勇介¹、安江 信次¹、岩山 章^1,3、金 明姫¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,2、三宅 秀人³ (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤崎記念研究センター、3.三重大・地域イノベーション)

キーワード：窒化物半導体、発光特性、紫外

高性能紫外発光素子の実現には、サファイア基板上への高品質 AlGaN 作製技術の確立が重要である。本研究グループでは、量産性/再現性に優れたスパッタ法により堆積した AlN 膜を高温アニール処理した後、MOVPE 法により AlN を再成長を行い、結晶配向性に優れた AlN下地層が得られることを報告してきた。今回は、アニールしたスパッタ AlN 膜上に、n-AlGaNクラッド層の膜厚を変化させながら活性層を積層させて発光特性について検討・調査した。